Actual directions of scientific researches of the XXI century: theory and practice

Актуальные направления научных исследований XXI века: теория и практика

2308-8877

3816

10.12737/6178

Секция 3: Информационные технологии и компьютерное моделирование в процессах создания современных материалов и покрытий

CREATING PERSISTENT CHIPS TO THE EFFECTS OF HEAVY CHARGED PARTICLES

Создание стойких микросхем к воздействию тяжелых заряженных частиц

Зольников

Владимир Константинович

Zolnikov

Vladimir Константинович

wkz@rambler.ru

05 11 2014

2 4 341 347

https://naukaru.ru/en/nauka/article/3816/view

Рассмотрены методы защиты микросхем от воздействия тяжелых заряженных частиц, реализованные на технологических платформах 350нм и 180нм..

Methods of protection circuits from the effects of heavy charged particles, implemented on technological platforms 350 nm and 180nm.

САПР микросхема тяжелые заряженные частицы.

CAD chip heavy charged particles.

УДК 519.72СОЗДАНИЕ СТОЙКИХ МИКРОСХЕМ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦCREATING PERSISTENT CHIPS TO THE EFFECTS OF HEAVY CHARGED PARTICLESЗольников В.К., д.т.н., заведующий кафедройФГБОУ ВПО «Воронежская государственная лесотехническая академия»г. Воронеж, РоссияDOI: 10.12737/6178 Аннотация: Рассмотрены методы защиты микросхем от воздействия тяжелых заряженных частиц, реализованные на технологических платформах 350нм и 180нм..Summary: Methods of protection circuits from the effects of heavy charged particles, implemented on technological platforms 350 nm and 180nm.Ключевые слова: САПР, микросхема, тяжелые заряженные частицы.Keywords: CAD, chip, heavy charged particles. Известно, что первым этапом для применения методов зашиты от сбоев при проектирования сложных СБИС является выделение определенных функциональных блоков. Затем необходимо оценить имеющихся средств защиты с точки зрения не превышения ограничений [1-3].

Стешенко В. и др. Проектирование СБИС типа "Система на кристалле". Маршрут проектирования. Синтез схемы. // Электронные компоненты. 2009. №1.

Steshenko V. i dr. Proektirovanie SBIS tipa "Sistema na kristalle". Marshrut proektirovaniya. Sintez skhemy.. Elektronnye komponenty. 2009. №1.

Яньков, А.И.. Состояние и перспективы разработки радиационно-стойкой элементной базы во ФГУП «НИИЭТ» / А.И.Яньков, В.П.Крюков, Д.Е. Чибисов // Научно-технический журнал «Моделирование систем и процессов». Выпуск 1-2. - ВГЛТА: 2010. -С. 99-102.

Yan´kov, A.I.. Sostoyanie i perspektivy razrabotki radiatsionno-stoykoy elementnoy bazy vo FGUP «NIIET» / A.I.Yan´kov, V.P.Kryukov, D.E. Chibisov. Nauchno-tekhnicheskiy zhurnal «Modelirovanie sistem i protsessov». Vypusk 1-2. - VGLTA: 2010. -S. 99-102.

Зольников, В.К.. Формирование библиотек типовых элементов и СФ блоков / В.К. Зольников // Моделирование систем и процессов. 2011. № 3. С. 27-29.

Zol´nikov, V.K.. Formirovanie bibliotek tipovykh elementov i SF blokov / V.K. Zol´nikov. Modelirovanie sistem i protsessov. 2011. № 3. S. 27-29.

Зольников, В.К.. Разработка схемотехнического и конструктивно-технологического базиса ЭКБ / В.К.Зольников, А.А. Стоянов // Моделирование систем и процессов. 2011. № 1-2. С. 28-30.

Zol´nikov, V.K.. Razrabotka skhemotekhnicheskogo i konstruktivno-tekhnologicheskogo bazisa EKB / V.K.Zol´nikov, A.A. Stoyanov. Modelirovanie sistem i protsessov. 2011. № 1-2. S. 28-30.

Яньков А.И. Методы обеспечения сбоеустойчивости к одиночным событиям в процессе проектирования для микропроцессоров K1830BE32УМ и 1830ВЕ32У / А.И.Яньков, В.А. Смерек, В.П.Крюков, В.К. Зольников // Моделирование систем и процессов. 2012. № 1. С. 92-95.

Yan´kov A.I. Metody obespecheniya sboeustoychivosti k odinochnym sobytiyam v protsesse proektirovaniya dlya mikroprotsessorov K1830BE32UM i 1830VE32U / A.I.Yan´kov, V.A. Smerek, V.P.Kryukov, V.K. Zol´nikov. Modelirovanie sistem i protsessov. 2012. № 1. S. 92-95.

Зольников В.К. Проектирование современной микрокомпонентной базы с учетом одиночных событий радиационного воздействия / В.К. Зольников // Моделирование систем и процессов. 2012. № 1. С. 27-30.

Zol´nikov V.K. Proektirovanie sovremennoy mikrokomponentnoy bazy s uchetom odinochnykh sobytiy radiatsionnogo vozdeystviya / V.K. Zol´nikov. Modelirovanie sistem i protsessov. 2012. № 1. S. 27-30.