Моделирование воздействия ТЗЧ на схемотехническом уровне заключается во внесении в эквивалентную схему замещения дополнительных генераторов тока, ёмкостей, паразитных биполярных транзисторов и резисторов, которые с некоторой частотой включаются в работу [1].  Для этого к стандартной модели транзистора КМОП (рис. 1) добавляется генератор тока ионизации () сопротивление подложки между контактом к ней и стоковым p-n переходом (R) и паразитный транзистор (VT).   Рис. 1. Модель транзистора КМОП с генератором тока ионизации Генератор тока описывается стандартной функцией, имеющейся в пакете Сadence на основе экспоненциальной функции, так как она практически точно повторяет ток ионизации, теоретически описанный в предыдущей главе. Импульс тока экспоненциальной формы условно разбит на три участка, которые соответствуют току ионизации в состоянии «до», «в процессе воздействия ТЗЧ» и «после воздействия ТЗЧ». Тогда генератор тока задается списком параметров EXP (y1, y2, td, tcr, tr, tfr) и соответствует выражению [2]: (1)