<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article
PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.4 20190208//EN"
       "JATS-journalpublishing1.dtd">
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="en">
 <front>
  <journal-meta>
   <journal-id journal-id-type="publisher-id">Modeling of systems and processes</journal-id>
   <journal-title-group>
    <journal-title xml:lang="en">Modeling of systems and processes</journal-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Моделирование систем и процессов</trans-title>
    </trans-title-group>
   </journal-title-group>
   <issn publication-format="print">2219-0767</issn>
  </journal-meta>
  <article-meta>
   <article-id pub-id-type="publisher-id">33831</article-id>
   <article-id pub-id-type="doi">10.12737/2219-0767-2019-12-3-59-64</article-id>
   <article-categories>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="ru">
     <subject>Технические науки</subject>
    </subj-group>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="en">
     <subject></subject>
    </subj-group>
    <subj-group>
     <subject>Технические науки</subject>
    </subj-group>
   </article-categories>
   <title-group>
    <article-title xml:lang="en">DESIGN FEATURES OF MULTI-BIT CMOS-CNI-ADC TO CREATE MULTI-CHANNEL HIGH-SPEED DSP SYSTEMS WITH INCREASED FAULT TOLERANCE</article-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Особенности проектирования многоразрядных КМОП-КНИ-АЦП для создания многоканальных высокоскоростных систем ЦОС с повышенной сбоеустойчивостью</trans-title>
    </trans-title-group>
   </title-group>
   <contrib-group content-type="authors">
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Кононов</surname>
       <given-names>Владимир Сергеевич</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Kononov</surname>
       <given-names>Vladimir Sergeevich</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
   </contrib-group>
   <aff-alternatives id="aff-1">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">АО «Специализированное конструкторско-технологическое бюро электронных систем» (ОАО «СКТБ ЭС»)</institution>
     <country>Россия</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">АО «Специализированное конструкторско-технологическое бюро электронных систем» (ОАО «СКТБ ЭС»)</institution>
     <country>Russian Federation</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <volume>12</volume>
   <issue>3</issue>
   <fpage>59</fpage>
   <lpage>64</lpage>
   <self-uri xlink:href="https://naukaru.ru/en/nauka/article/33831/view">https://naukaru.ru/en/nauka/article/33831/view</self-uri>
   <abstract xml:lang="ru">
    <p>Рассмотрены особенности и возможности использования зарубежных и отечественных foundry-технологий при создании КМОП-АЦП для высокоскоростных многоканальных систем ЦОС с повышенной сбоеустойчивостью к воздействию ТЗЧ. Приведена архитектура и техника балансировки АЦП, обеспечивающие повышение скорости преобразования при работе нескольких АЦП в режиме чередования. Рассмотрена техника двойного резервирования источников «весовых» токов. Обоснована необходимость использования дополнительного источника тока и сдвоенных последовательно соединенных КМОП-транзисторов вместо одиночных транзисторов того же типа проводимости. Отмечается, что предложенные решения обеспечивают эффективную амортизацию влияния ТЗЧ с наиболее «опасными» энергиями 20-100 МэВ/нуклон.</p>
   </abstract>
   <trans-abstract xml:lang="en">
    <p>The features and possibilities of using foreign and domestic foundry technologies in the creation of CMOS-ADC for high-speed multichannel DSP systems with increased fault resistance to the effects of TKCH are considered. The architecture and technique of ADC balancing, which provide an increase in the conversion rate when several ADCS operate in the alternating mode, are presented. The technique of double reservation of sources of «weight» currents is considered. The necessity of using an additional current source and dual series-connected CMOS transistors instead of single transistors of the same conductivity type is substantiated. It is noted that the proposed solutions provide effective amortization of the impact of TKCH with the most &quot;dangerous&quot; energies of 20-100 MeV/nucleon</p>
   </trans-abstract>
   <kwd-group xml:lang="ru">
    <kwd>Аналого-цифровой преобразователь (АЦП)</kwd>
    <kwd>цифро-аналоговый преобразователь (ЦАП)</kwd>
    <kwd>цифровая обработка сигнала (ЦОС)</kwd>
    <kwd>сбоеустойчивость</kwd>
    <kwd>тяжелые заряженные частицы (ТЗЧ).</kwd>
   </kwd-group>
   <kwd-group xml:lang="en">
    <kwd>analog-to-digital Converter (ADC)</kwd>
    <kwd>digital-to-analog Converter (DAC)</kwd>
    <kwd>digital signal processing (DSP)</kwd>
    <kwd>fault tolerance</kwd>
    <kwd>heavy charged particles (TCH).</kwd>
   </kwd-group>
  </article-meta>
 </front>
 <body>
  <p></p>
 </body>
 <back>
  <ref-list>
   <ref id="B1">
    <label>1.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Методы обеспечения стойкости микросхем к одиночным событиям при проектировании радиационно-стойких микросхем / В. Н. Ачкасов, В. А. Смерек, Д. М. Уткин, В. К. Зольников // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2012. - № 1. - С. 634-637.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Metody obespecheniya stoykosti mikroshem k odinochnym sobytiyam pri proektirovanii radiacionno-stoykih mikroshem / V. N. Achkasov, V. A. Smerek, D. M. Utkin, V. K. Zol'nikov // Problemy razrabotki perspektivnyh mikro- i nanoelektronnyh sistem (MES). - 2012. - № 1. - S. 634-637.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B2">
    <label>2.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Крюков, В. П. Проблемы моделирования базовых элементов КМОП БИС двойного назначения в САПР / В. П. Крюков, К. В. Зольников, С. А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 4. - С. 41-44.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Kryukov, V. P. Problemy modelirovaniya bazovyh elementov KMOP BIS dvoynogo naznacheniya v SAPR / V. P. Kryukov, K. V. Zol'nikov, S. A. Evdokimova // Modelirovanie sistem i processov. - 2013. - № 4. - S. 41-44.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B3">
    <label>3.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Зольников, В. К. Моделирование сбора заряда при воздействии тяжелых заряженных частиц в КМОП элементах микросхем / В. К. Зольников, И. П. Потапов, К.И. Таперо // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2010. - № 1. - С. 275-278.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zol'nikov, V. K. Modelirovanie sbora zaryada pri vozdeystvii tyazhelyh zaryazhennyh chastic v KMOP elementah mikroshem / V. K. Zol'nikov, I. P. Potapov, K.I. Tapero // Problemy razrabotki perspektivnyh mikro- i nanoelektronnyh sistem (MES). - 2010. - № 1. - S. 275-278.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B4">
    <label>4.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Кононов, В. С. Особенности проектирования и производства многоразрядных высокоскоростных КМОП-АЦП с конвейерной архитектурой / В. С. Кононов // Компоненты и технологии. - 2018. - №2. - С. 132-134.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Kononov, V. S. Osobennosti proektirovaniya i proizvodstva mnogorazryadnyh vysokoskorostnyh KMOP-ACP s konveyernoy arhitekturoy / V. S. Kononov // Komponenty i tehnologii. - 2018. - №2. - S. 132-134.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B5">
    <label>5.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Модель радиационных эффектов воздействия тяжелых заряженных частиц в КМОП-элементах микросхем / К. В. Зольников, К. И. Таперо, В. А. Смерек, Т. П. Беляева // Программные продукты и системы. - 2011. - № 3. - С. 4.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Model' radiacionnyh effektov vozdeystviya tyazhelyh zaryazhennyh chastic v KMOP-elementah mikroshem / K. V. Zol'nikov, K. I. Tapero, V. A. Smerek, T. P. Belyaeva // Programmnye produkty i sistemy. - 2011. - № 3. - S. 4.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B6">
    <label>6.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Смерек, В. К. Модель физических процессов в элементах СБИС при воздействии тяжелых заряженных частиц / В. К. Смерек, В. К. Зольников, К. И. Таперо // Моделирование систем и процессов. - 2010. - № 1-2. - С. 41-48.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Smerek, V. K. Model' fizicheskih processov v elementah SBIS pri vozdeystvii tyazhelyh zaryazhennyh chastic / V. K. Smerek, V. K. Zol'nikov, K. I. Tapero // Modelirovanie sistem i processov. - 2010. - № 1-2. - S. 41-48.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B7">
    <label>7.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Ольчев, С. И. Двухфазные КМОП логические элементы с повышенной сбоеустойчивостью к воздействию отдельных ядерных частиц / С. И. Ольчев, В. Я. Стенин // Микроэлектроника. - 2011. - Т. 40, № 3. - С. 170-183.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Ol'chev, S. I. Dvuhfaznye KMOP logicheskie elementy s povyshennoy sboeustoychivost'yu k vozdeystviyu otdel'nyh yadernyh chastic / S. I. Ol'chev, V. Ya. Stenin // Mikroelektronika. - 2011. - T. 40, № 3. - S. 170-183.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B8">
    <label>8.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Lacoe, R. C. Improving Integrated Circuit Performance Through the Application of Hardness by Design Methodology // IEEE Trans.Nucl.Sci. - 2008. - V. 55, I. 4. - P. 1903-1925.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Lacoe, R. C. Improving Integrated Circuit Performance Through the Application of Hardness by Design Methodology // IEEE Trans.Nucl.Sci. - 2008. - V. 55, I. 4. - P. 1903-1925.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B9">
    <label>9.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Кононов, В. С. Схемотехнические методы повышения стойкости аналоговых блоков АЦП к воздействию тяжелых заряженных частиц / В. С. Кононов, А. А. Илларионов // Теория и техника специальной радиосвязи. - 2018. - №2. - С. 101-107.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Kononov, V. S. Shemotehnicheskie metody povysheniya stoykosti analogovyh blokov ACP k vozdeystviyu tyazhelyh zaryazhennyh chastic / V. S. Kononov, A. A. Illarionov // Teoriya i tehnika special'noy radiosvyazi. - 2018. - №2. - S. 101-107.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B10">
    <label>10.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Ионизирующие излучения космического пространства и их воздействие на бортовую аппаратуру космических аппаратов / В. С. Анашин [и др.]; под ред. Г. Г. Райкунова. - М. : ФИЗМАТЛИТ, 2013. - 255 c.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Ioniziruyuschie izlucheniya kosmicheskogo prostranstva i ih vozdeystvie na bortovuyu apparaturu kosmicheskih apparatov / V. S. Anashin [i dr.]; pod red. G. G. Raykunova. - M. : FIZMATLIT, 2013. - 255 c.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B11">
    <label>11.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Методы схемотехнического моделирования КМОП СБИС с учетом радиации / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. И. Анциферова, С. А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 2. - С. 5-9.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Metody shemotehnicheskogo modelirovaniya KMOP SBIS s uchetom radiacii / K. V. Zol'nikov, V. A. Sklyar, V. I. Anciferova, S. A. Evdokimova // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 2. - S. 5-9.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B12">
    <label>12.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Обобщенная методика проектирования технических блоков высоконадежных программно-технических комплексов специального назначения / В. К. Зольников, Д. М. Уткин, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2014» : сборник тезисов докладов 17-й Всероссийской научно-практической конференции по радиационной стойкости электронных систем. - М. : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2014. - С. 71-72.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Obobschennaya metodika proektirovaniya tehnicheskih blokov vysokonadezhnyh programmno-tehnicheskih kompleksov special'nogo naznacheniya / V. K. Zol'nikov, D. M. Utkin, S. A. Evdokimova, V. I. Anciferova // Radiacionnaya stoykost' elektronnyh sistem «Stoykost'-2014» : sbornik tezisov dokladov 17-y Vserossiyskoy nauchno-prakticheskoy konferencii po radiacionnoy stoykosti elektronnyh sistem. - M. : Nacional'nyy issledovatel'skiy yadernyy universitet «MIFI», 2014. - S. 71-72.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B13">
    <label>13.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Методы проектирования микросхем, стойких к одиночным событиям / В. Н. Ачкасов, В. А. Смерек, Д. М. Уткин, К. В. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2012. - № 3. - С. 17-20.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Metody proektirovaniya mikroshem, stoykih k odinochnym sobytiyam / V. N. Achkasov, V. A. Smerek, D. M. Utkin, K. V. Zol'nikov // Modelirovanie sistem i processov. - 2012. - № 3. - S. 17-20.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
  </ref-list>
 </back>
</article>
