<?xml version="1.0"?>
<!DOCTYPE article
PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.4 20190208//EN"
       "JATS-journalpublishing1.dtd">
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="en">
 <front>
  <journal-meta>
   <journal-id journal-id-type="publisher-id">Modeling of systems and processes</journal-id>
   <journal-title-group>
    <journal-title xml:lang="en">Modeling of systems and processes</journal-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Моделирование систем и процессов</trans-title>
    </trans-title-group>
   </journal-title-group>
   <issn publication-format="print">2219-0767</issn>
  </journal-meta>
  <article-meta>
   <article-id pub-id-type="publisher-id">26717</article-id>
   <article-id pub-id-type="doi">10.12737/article_5c4f1971288a82.68582366</article-id>
   <article-categories>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="ru">
     <subject>Технические науки</subject>
    </subj-group>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="en">
     <subject></subject>
    </subj-group>
    <subj-group>
     <subject>Технические науки</subject>
    </subj-group>
   </article-categories>
   <title-group>
    <article-title xml:lang="en">INVESTIGATION OF THE EFFECT OF CURRENT ON THE CHANGE IN WAVELENGTH CORRESPONDING TO THE MAXIMUM EMISSION OF THE INDICATOR OF THE RED COLOR OF LUMINESCENCE</article-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Исследование влияния силы тока на изменение длины волны, соответствующей максимуму излучения индикатора красного цвета свечения</trans-title>
    </trans-title-group>
   </title-group>
   <contrib-group content-type="authors">
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Макаренко</surname>
       <given-names>Филипп Владимирович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Makarenko</surname>
       <given-names>F. V.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Черных</surname>
       <given-names>М. И.</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Chernyh</surname>
       <given-names>M. I.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-2"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Зольников</surname>
       <given-names>Константин Владимирович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Zolnikov</surname>
       <given-names>Konstantin Vladimirovich</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-3"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Макаренко</surname>
       <given-names>В. Н.</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Makarenko</surname>
       <given-names>V. N.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-4"/>
    </contrib>
   </contrib-group>
   <aff-alternatives id="aff-1">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова</institution>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov</institution>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <aff-alternatives id="aff-2">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">АО &quot;Научно-исследовательский институт электронной техники&quot;</institution>
     <city>Воронеж</city>
     <country>Россия</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">АО &quot;Научно-исследовательский институт электронной техники&quot;</institution>
     <city>Воронеж</city>
     <country>Russian Federation</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <aff-alternatives id="aff-3">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова</institution>
     <country>Россия</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov</institution>
     <country>Russian Federation</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <aff-alternatives id="aff-4">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">Военно-воздушная академия им. профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина</institution>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">Air Force Academy named after professor N.E. Zhukovsky and Y.A. Gagarin</institution>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <volume>11</volume>
   <issue>3</issue>
   <fpage>39</fpage>
   <lpage>44</lpage>
   <self-uri xlink:href="https://naukaru.ru/en/nauka/article/26717/view">https://naukaru.ru/en/nauka/article/26717/view</self-uri>
   <abstract xml:lang="ru">
    <p>Исследовано влияние силы тока на изменение длины волны, соответствующей максимуму излучения индикатора полупроводникового единичного красного цвета свечения ИПД127, изготовленного на основе арсенида галлия в металлостеклянном корпусе и предназначенного для использования в аппаратуре межотраслевого применения. Сделан вывод о влиянии температуры кристалла на положение максимума спектра излучения за счёт изменения ширины запрещённой зоны исследуемого материала. Аппроксимирована температурная зависимость ширины запрещённой зоны. Оценено тепловое сопротивление излучающей системы. Оценена тепловая рассеиваемая мощность прибора. Предложено применение прибора в облегченном тепловом режиме.</p>
   </abstract>
   <trans-abstract xml:lang="en">
    <p>Исследовано влияние силы тока на изменение длины волны, соответствующей максимуму излучения индикатора полупроводникового единичного красного цвета свечения ИПД127, изготовленного на основе арсенида галлия в металлостеклянном корпусе и предназначенного для использования в аппаратуре межотраслевого применения. Сделан вывод о влиянии температуры кристалла на положение максимума спектра излучения за счёт изменения ширины запрещённой зоны исследуемого материала. Аппроксимирована температурная зависимость ширины запрещённой зоны. Оценено тепловое сопротивление излучающей системы. Оценена тепловая рассеиваемая мощность прибора. Предложено применение прибора в облегченном тепловом режиме.</p>
   </trans-abstract>
   <kwd-group xml:lang="ru">
    <kwd>Арсенид галлия</kwd>
    <kwd>индикатор излучения</kwd>
    <kwd>температурная зависимость запрещённой зоны.</kwd>
   </kwd-group>
  </article-meta>
 </front>
 <body>
  <p>I. ВведениеУспешное применение полупроводниковых индикаторов (ППИ), в частности единичных индикаторов, (фактически представляющих собой «свето-излучающие диоды»  (СИД), состоящих из одного элемента отображения и предназначенных, в основном, для представления информации в виде точки или круга), в качестве компонентов индикации в приборах управления стационарным производственно-технологическим оборудованием, движущимися объектами, в т.ч. летательными аппаратами, а также, объектами гражданского назначения, обусловлено наличием у полупроводниковых структур технических характеристик, существенно превосходящих параметры газоразрядных электролюминесцентных и электрохромных индикаторов.Индикатор полупроводниковый единичный ИПД127А-К представляет собой сверх яркий арсенид-галлиевый (твердый раствор на основе GaAs) свето-излучающий диод красного цвета свечения в металлостеклянном корпусе. Несмотря на широкое применение такого класса приборов в технике, не изучен вопрос о влиянии режимов работы (величины проходящего тока в прямом смещении) на положение длины волны, соответствующей максимуму спектрального излучения (λmax)). Что может быть критически важным в ряде случаев, например, при считывании показаний индикатора с помощью машинного зрения, настроенного на определенную длину волны.Полагая, что величина тока может значительно влиять на спектр излучения, и, тем самым, на КПД фотоприёмников, регистрирующих излучение, испускаемое данным светодиодом, мы поставили целью работы исследование спектров излучения трёх образцов индикатора ИПД127А-К при различных токах питания, а также проследить как связана работа индикатора на различных участках ВАХ и спектрального излучения. </p>
 </body>
 <back>
  <ref-list>
   <ref id="B1">
    <label>1.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Рывкин, С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С. М. Рывкин. - М. : Физ-матгиз, 1963. - 494 с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Ryvkin, S. M. Fotoelektricheskie yavleniya v poluprovodnikah / S. M. Ryvkin. - M. : Fiz-matgiz, 1963. - 494 s.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B2">
    <label>2.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Физические методы исследования материалов твердотельной электроники / С. И. Рембеза, Б. М. Синельников, Е. С. Рембеза, Н. И. Каргин.  - Ставрополь: СевКавГТУ, 2002. - 432с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Fizicheskie metody issledovaniya materialov tverdotel'noy elektroniki / S. I. Rembeza, B. M. Sinel'nikov, E. S. Rembeza, N. I. Kargin.  - Stavropol': SevKavGTU, 2002. - 432s.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B3">
    <label>3.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Кожевников, А. А. Автоматизация комплекса СДЛ-2 / А. А. Кожевников, Н. Н. Прибылов, Ф. В. Макаренко // Твердотельная электроника и микроэлектроника : межвузовский сборник научных трудов. - Воронеж: ВГТУ, 2005. - С.19-22.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Kozhevnikov, A. A. Avtomatizaciya kompleksa SDL-2 / A. A. Kozhevnikov, N. N. Pribylov, F. V. Makarenko // Tverdotel'naya elektronika i mikroelektronika : mezhvuzovskiy sbornik nauchnyh trudov. - Voronezh: VGTU, 2005. - S.19-22.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B4">
    <label>4.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Varshni, Y. P. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors / Y. P. Varshni // Physica. - 1967. -V. 34, I 1. - P. 149-154.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Varshni, Y. P. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors / Y. P. Varshni // Physica. - 1967. -V. 34, I 1. - P. 149-154.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B5">
    <label>5.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Грибковский, В. П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках / В. П. Грибковский. - Минск: «Наука и техника», 1975. - 464 с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Gribkovskiy, V. P. Teoriya pogloscheniya i ispuskaniya sveta v poluprovodnikah / V. P. Gribkovskiy. - Minsk: «Nauka i tehnika», 1975. - 464 s.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
  </ref-list>
 </back>
</article>
