Modeling of systems and processes Modeling of systems and processes Моделирование систем и процессов 2219-0767 15373 10.12737/24576 THE RESULTS OF THE TESTING OF COMPLEX CHIPS TO THE IMPACT OF HEAVY CHARGED PARTICLES Результаты испытаний сложных микросхем на воздействие тяжелых заряженных частиц Яньков Андрей Ильич Yankov A. Il'ich Меерсон Вера Эдуардовна Meerson Vera Eduardovna Зольников Константин Владимирович Zolnikov Konstantin Vladimirovich Крюков В. П. Kryukov V. П. ООО "НПП "Детектор" Россия LLC «SPE Detector» Russian Federation Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Россия Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov Russian Federation АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Воронеж Россия АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Воронеж Russian Federation 09 02 2017 09 02 2017 9 4 14 16 https://naukaru.ru/en/nauka/article/15373/view

В статье рассматривается расчет эффектов одиночных событий в образцах ЭРИ 5534ТХ014 в различных режимах. Представлены данные возникшие в процессе облучения одиночных радиационных эффектов.

The article deals with the calculation of single event effects in samples ERIE 5534ТХ014 in various modes. The data presented during the irradiation a single radiation effects.

 Облучение образцов ЭРИ тиристорный эффект события сбоев переключения события одиночных функциональных сбоев. irradiation of the samples ERIE thyristor effect failure events switching events of a single functional failures.

Объектом испытаний являлись образцы микросхем АЦП с элементами оперативной памяти, функциональное назначение – СБИС типа «система на кристалле»  2...4-канального приемного тракта со встроенным 18-разрядным АЦП и программируемым АЛУ ЦОС. К факторам статического излучения для этих микросхем уже были проведены [1-2]. Целью испытаний являлось определение основных информативных зависимостей параметров-критериев годности от значений характеристик спецфакторов, исследование зависимости уровней сбоеустойчивости изделий к воздействию спецфакторов от режимов (электрических, функциональных) и условий работы при воздействии ионов с ЛПЭ.

Выбор значений параметров, определяющих кинетику накопления заряда в диэлектрике при радиационном воздействии [Текст] / В. К. Зольников, В. П. Крюков, В. Н. Ачкасов, В. А.Скляр // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т.8, № 3. - С. 24-26. Vybor znacheniy parametrov, opredelyayushchikh kinetiku nakopleniya zaryada v dielektrike pri radiatsionnom vozdeystvii [Tekst] / V. K. Zol´nikov, V. P. Kryukov, V. N. Achkasov, V. A.Sklyar. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2015. - T.8, № 3. - S. 24-26. Расчет изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространства [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. С. Грошев, К. А. Чубур // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8, № 3. - С. 27 - 31. Raschet izmeneniya skhemotekhnicheskikh parametrov pri vozdeystvii nizkointensivnogo izlucheniya faktorov kosmicheskogo prostranstva [Tekst] / K. V. Zol´nikov, V. A. Sklyar, V. P. Kryukov, A. S. Groshev, K. A. Chubur. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2015. - T. 8, № 3. - S. 27 - 31.