Russian Federation
In article are considered designed formalized models in MATLAB for shaping the dependencies separate parameters MOS - transistors from temperature.
formalization of the designing procedures, CAD, MOS-transistors, formalized models.
I. Введение
В настоящее время существует необходимость в формализации процедур проектирования электронной компонентной базы применительно к МОП – транзисторам. Тем не менее разработка формализованных моделей формирования зависимостей отдельных параметров МОП – транзисторов включает в себя сложности в выборе как языка программирования, так и программного обеспечения, позволяющего объединять достоинства объектно-ориентированного языка программирования с возможностью 3D моделирования и использования методов синтеза виртуальной.
Ввиду этого в данной статье представлены формализованные модели формирования зависимостей отдельных параметров МОП – транзисторов от температуры на основе математического пакета прикладных программ MATLAB, который позволяет интегрировать разработанные модели в САПР Cadence.
1. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya komponentov dlya sistem avtomatizatsii proektirovaniya elektronnoy bazy na osnove sinteza virtual´noy real´nosti [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 16-20.
2. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi yadernymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 24-32.
3. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie issledovaniya modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti pri vozdeystvii tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 33-35.
4. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 20-25.
5. Zol´nikov, V. K. Modelirovanie ionizatsionnykh effektov i effektov smeshcheniya v tsifrovykh mikroskhemakh dlya SAPR [Tekst] / V. K. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, Yu. A. Chevychelov, Yu. S. Serbulov, V. I. Antsiferova, V. N. Achkasov, Yu. G. Tabakov. Lesotekhnicheskiy zhurnal. - 2014. - T.4. №4 (16). - S. 280-291.
6. Lavlinskiy, V. V. Analiz matematicheskikh zavisimostey EKV modeli dlya formalizatsii protsedur proektirovaniya MOP - tranzistorov [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2015. - T.8. № 4. - S. 27-33.
7. Lavlinskiy, V. V. Modeli formalizatsii MOP-tranzistorov na osnove ob´´ektno-orientirovannogo yazyka programmirovaniya [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2016. - T.9. № 2. - S. 15-22.
8. Lavlinskiy, V. V. Algoritm formalizatsii MOP-tranzistorov dlya ob´´ektno-orientirovannogo yazyka programmirovaniya [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2016. -T.9. № 2. - S. 4-14.
