<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article
PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.4 20190208//EN"
       "JATS-journalpublishing1.dtd">
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="en">
 <front>
  <journal-meta>
   <journal-id journal-id-type="publisher-id">Modeling of systems and processes</journal-id>
   <journal-title-group>
    <journal-title xml:lang="en">Modeling of systems and processes</journal-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Моделирование систем и процессов</trans-title>
    </trans-title-group>
   </journal-title-group>
   <issn publication-format="print">2219-0767</issn>
  </journal-meta>
  <article-meta>
   <article-id pub-id-type="publisher-id">15296</article-id>
   <article-id pub-id-type="doi">10.12737/24491</article-id>
   <title-group>
    <article-title xml:lang="en">FORMALIZED MODEL OF THE SHAPING THE DEPENDENCIES SEPARATE PARAMETERS MOS-TRANSISTORS FROM TEMPERATURE FOR CAD COMPONENTS</article-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Формализованные модели формирования зависимостей отдельных параметров МОП–транзисторов от температуры для компонентов САПР</trans-title>
    </trans-title-group>
   </title-group>
   <contrib-group content-type="authors">
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Жвад</surname>
       <given-names>Ахмед Хашим Халиль</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Zhvad</surname>
       <given-names>Akhmed Хашим Халиль</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Лавлинский</surname>
       <given-names>Валерий Викторович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Lavlinskiy</surname>
       <given-names>V. Viktorovich</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
   </contrib-group>
   <aff-alternatives id="aff-1">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова</institution>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov</institution>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <pub-date publication-format="print" date-type="pub" iso-8601-date="2017-02-07T00:00:00+03:00">
    <day>07</day>
    <month>02</month>
    <year>2017</year>
   </pub-date>
   <pub-date publication-format="electronic" date-type="pub" iso-8601-date="2017-02-07T00:00:00+03:00">
    <day>07</day>
    <month>02</month>
    <year>2017</year>
   </pub-date>
   <volume>9</volume>
   <issue>3</issue>
   <fpage>8</fpage>
   <lpage>12</lpage>
   <self-uri xlink:href="https://naukaru.ru/en/nauka/article/15296/view">https://naukaru.ru/en/nauka/article/15296/view</self-uri>
   <abstract xml:lang="ru">
    <p>В статье рассматриваются разработанные формализованные модели в MATLAB для формирования зависимостей отдельных параметров МОП - транзисторов от температуры для компонентов САПР.</p>
   </abstract>
   <trans-abstract xml:lang="en">
    <p>In article are considered designed formalized models in MATLAB for shaping the dependencies separate parameters MOS - transistors from temperature.</p>
   </trans-abstract>
   <kwd-group xml:lang="ru">
    <kwd>Формализация процедур проектирования</kwd>
    <kwd>САПР</kwd>
    <kwd>МОП – транзисторы</kwd>
    <kwd>формализованные модели.</kwd>
   </kwd-group>
   <kwd-group xml:lang="en">
    <kwd>formalization of the designing procedures</kwd>
    <kwd>CAD</kwd>
    <kwd>MOS-transistors</kwd>
    <kwd>formalized models.</kwd>
   </kwd-group>
  </article-meta>
 </front>
 <body>
  <p>I. ВведениеВ настоящее время существует необходимость в формализации процедур проектирования электронной компонентной базы применительно к МОП – транзисторам. Тем не менее разработка формализованных моделей формирования зависимостей отдельных параметров МОП – транзисторов включает в себя сложности в выборе как языка программирования, так и программного обеспечения, позволяющего объединять достоинства объектно-ориентированного языка программирования с возможностью 3D моделирования и использования методов синтеза виртуальной. Ввиду этого в данной статье представлены формализованные модели формирования зависимостей отдельных параметров МОП – транзисторов от температуры на основе математического пакета прикладных программ MATLAB, который позволяет интегрировать разработанные модели в САПР Cadence.</p>
 </body>
 <back>
  <ref-list>
   <ref id="B1">
    <label>1.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования компонентов для систем автоматизации проектирования электронной базы на основе синтеза виртуальной реальности [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 16-20.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya komponentov dlya sistem avtomatizatsii proektirovaniya elektronnoy bazy na osnove sinteza virtual&amp;#180;noy real&amp;#180;nosti [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 16-20.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B2">
    <label>2.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми ядерными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 24-32.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob&amp;#180;&amp;#180;ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual&amp;#180;noy real&amp;#180;nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi yadernymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 24-32.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B3">
    <label>3.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Лавлинский, В. В. Теоретические исследования моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности при воздействии тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 4. - С. 33-35.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie issledovaniya modelirovaniya proektiruemykh ob&amp;#180;&amp;#180;ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual&amp;#180;noy real&amp;#180;nosti pri vozdeystvii tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 33-35.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B4">
    <label>4.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлыми заряженными частицами [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 3. - С. 20-25.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob&amp;#180;&amp;#180;ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual&amp;#180;noy real&amp;#180;nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 20-25.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B5">
    <label>5.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Зольников, В. К. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах для САПР [Текст] / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. - 2014. - Т.4. №4 (16). - С. 280-291.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zol&amp;#180;nikov, V. K. Modelirovanie ionizatsionnykh effektov i effektov smeshcheniya v tsifrovykh mikroskhemakh dlya SAPR [Tekst] / V. K. Zol&amp;#180;nikov, V. V. Lavlinskiy, Yu. A. Chevychelov, Yu. S. Serbulov, V. I. Antsiferova, V. N. Achkasov, Yu. G. Tabakov. Lesotekhnicheskiy zhurnal. - 2014. - T.4. №4 (16). - S. 280-291.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B6">
    <label>6.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Лавлинский, В. В. Анализ математических зависимостей EKV модели для формализации процедур проектирования МОП - транзисторов [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т.8. № 4. - С. 27-33.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Lavlinskiy, V. V. Analiz matematicheskikh zavisimostey EKV modeli dlya formalizatsii protsedur proektirovaniya MOP - tranzistorov [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2015. - T.8. № 4. - S. 27-33.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B7">
    <label>7.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Лавлинский, В. В. Модели формализации МОП-транзисторов на основе объектно-ориентированного языка программирования [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2016. - Т.9. № 2. - С. 15-22.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Lavlinskiy, V. V. Modeli formalizatsii MOP-tranzistorov na osnove ob&amp;#180;&amp;#180;ektno-orientirovannogo yazyka programmirovaniya [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2016. - T.9. № 2. - S. 15-22.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B8">
    <label>8.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Лавлинский, В. В. Алгоритм формализации МОП-транзисторов для объектно-ориентированного языка программирования [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. - 2016. -Т.9. № 2. - С. 4-14.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Lavlinskiy, V. V. Algoritm formalizatsii MOP-tranzistorov dlya ob&amp;#180;&amp;#180;ektno-orientirovannogo yazyka programmirovaniya [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2016. -T.9. № 2. - S. 4-14.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
  </ref-list>
 </back>
</article>
