Russian Federation
In article is considered possibility of the object-oriented programming language in the making models to formalize procedures of the designing mos-transistor.
formalization of the designing procedures, CAD, MOS-transistors, object-oriented programming language.
I. Введение
При формировании алгоритмов решения научных задач одну из главных ролей составляет учёт особенностей для применения математических зависимостей и последовательное использование их переменных. В этом случае процесс формирования алгоритма является одной из основ создания сложных математических и имитационных моделей с использованием как объектно-ориентированных языков программирования, так и использование прикладных математических пакетов.
Ввиду этого в данной статье рассматривается один из подходов разработки алгоритма с целью дальнейшей формализации процедур проектирования для формирования модели МОП – транзистора применительно к методам объектно-ориентированного программирования в САПР.
1. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya komponentov dlya sistem avtomatizatsii proektirovaniya elektronnoy bazy na osnove sinteza virtual´noy real´nosti [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 16-20.
2. Sklyar, V. A. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / V. A. Sklyar, K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 72-76.
3. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi yadernymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 24-32.
4. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie issledovaniya modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti pri vozdeystvii tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 33-35.
5. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 3. - S. 20-25.
6. Zol´nikov, V.K. Modelirovanie ionizatsionnykh effektov i effektov smeshcheniya v tsifrovykh mikroskhemakh dlya SAPR [Tekst] / V. K. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, Yu. A. Chevychelov, Yu. S. Serbulov, V. I. Antsiferova, V. N. Achkasov, Yu. G. Tabakov. Lesotekhnicheskiy zhurnal. - 2014. - T.4. №4 (16). - S. 280-291.
7. Lavlinskiy, V. V. Analiz matematicheskikh zavisimostey EKV modeli dlya formalizatsii protsedur proektirovaniya MOP-tranzistorov [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2015. - T. 8. № 4. - S. 27-33.
