<!DOCTYPE article
PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.4 20190208//EN"
       "JATS-journalpublishing1.dtd">
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="en">
 <front>
  <journal-meta>
   <journal-id journal-id-type="publisher-id">Alternative energy sources in the transport-technological complex: problems and prospects of rational use of</journal-id>
   <journal-title-group>
    <journal-title xml:lang="en">Alternative energy sources in the transport-technological complex: problems and prospects of rational use of</journal-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Альтернативные источники энергии в транспортно-технологическом комплексе: проблемы и перспективы рационального использования</trans-title>
    </trans-title-group>
   </journal-title-group>
   <issn publication-format="print">2409-7829</issn>
  </journal-meta>
  <article-meta>
   <article-id pub-id-type="publisher-id">12609</article-id>
   <article-id pub-id-type="doi">10.12737/20680</article-id>
   <article-categories>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="ru">
     <subject>Применение нанотехнологий в транспортно-технологическом комплексе</subject>
    </subj-group>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="en">
     <subject></subject>
    </subj-group>
    <subj-group>
     <subject>Применение нанотехнологий в транспортно-технологическом комплексе</subject>
    </subj-group>
   </article-categories>
   <title-group>
    <article-title xml:lang="en">STUDY OF PRODUCINGSENSORS BASED ON POROUS SEMICONDUCTORS A3B5 GROUPS WITH THE USE OF ELECTROADHESION CONTACTS</article-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУЧЕНИЯ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ ПОРИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ A3B5 ГРУППЫ С ПРИМЕНЕНИЕМ ЭЛЕКТРОАДГЕЗИОННЫХ КОНТАКТОВ</trans-title>
    </trans-title-group>
   </title-group>
   <contrib-group content-type="authors">
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Белорус</surname>
       <given-names>А. О.</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Belorus</surname>
       <given-names>A. О.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Кошевой</surname>
       <given-names>В. Л.</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Koshevoy</surname>
       <given-names>V. Л.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Пщелко</surname>
       <given-names>Н. С.</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Pshchelko</surname>
       <given-names>N. С.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
    </contrib>
   </contrib-group>
   <pub-date publication-format="print" date-type="pub" iso-8601-date="2016-07-07T00:00:00+03:00">
    <day>07</day>
    <month>07</month>
    <year>2016</year>
   </pub-date>
   <pub-date publication-format="electronic" date-type="pub" iso-8601-date="2016-07-07T00:00:00+03:00">
    <day>07</day>
    <month>07</month>
    <year>2016</year>
   </pub-date>
   <volume>3</volume>
   <issue>2</issue>
   <fpage>35</fpage>
   <lpage>40</lpage>
   <self-uri xlink:href="https://naukaru.ru/en/nauka/article/12609/view">https://naukaru.ru/en/nauka/article/12609/view</self-uri>
   <abstract xml:lang="ru">
    <p>В статье изложены методика получения пористых слоёв в полупроводниках A3B5 группы и описана технологическая возможность создания на основе данных пористых слоёв сенсоров различного назначения с применение электроадгезионного контакта</p>
   </abstract>
   <trans-abstract xml:lang="en">
    <p>The article describes the procedure for the preparation of porous layers in semiconductors A3B5 group and described the technological ability to create on the basis of these porous layers of sensors for various purposes with the use of electroadhesion contact</p>
   </trans-abstract>
   <kwd-group xml:lang="ru">
    <kwd>полупроводники</kwd>
    <kwd>сенсоры</kwd>
    <kwd>датчики</kwd>
    <kwd>травление</kwd>
    <kwd>пористые полупроводники</kwd>
    <kwd>транспорт</kwd>
    <kwd>электроадгезионный контакт</kwd>
   </kwd-group>
   <kwd-group xml:lang="en">
    <kwd>semiconductors</kwd>
    <kwd>sensors</kwd>
    <kwd>transducers</kwd>
    <kwd>etching</kwd>
    <kwd>porous semiconductors</kwd>
    <kwd>transport</kwd>
    <kwd>electroadhesion contact</kwd>
   </kwd-group>
  </article-meta>
 </front>
 <body>
  <p></p>
 </body>
 <back>
  <ref-list>
   <ref id="B1">
    <label>1.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Александрова О.А., Алешин А.Н., Белорус А.О., Бобков А.А., Гузь А.В., Кальнин А.А., Кононова И.Е., Левицкий В.С., Мазинг Д.С., Мараева Е.В., Матюшкин Л.Б., Москвин П.П., Мошников В.А., Муратова Е.Н., Налимова С.С., Пономарева А.А., Пронин И.А., Спи-вак Ю.М. Новые материалы. Синтез. Диагностика. Моделирование: лабораторный практи-кум. Санкт-Петербург, 2015.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Aleksandrova O.A., Aleshin A.N., Belorus A.O., Bobkov A.A., Guz&amp;#180; A.V., Kal&amp;#180;nin A.A., Kononova I.E., Levitskiy V.S., Mazing D.S., Maraeva E.V., Matyushkin L.B., Moskvin P.P., Moshnikov V.A., Muratova E.N., Nalimova S.S., Ponomareva A.A., Pronin I.A., Spi-vak Yu.M. Novye materialy. Sintez. Diagnostika. Modelirovanie: laboratornyy prakti-kum. Sankt-Peterburg, 2015.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B2">
    <label>2.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Волков В.П., Кривошапов С.И. Расчёт выбросов вредных веществ на транспорте // Альтернативные источники энергии в транспортно-технологическом комплексе: проблемы и перспективы рационального использования. 2015. Т. 2. № 1. С. 165-169.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Volkov V.P., Krivoshapov S.I. Raschet vybrosov vrednykh veshchestv na transporte. Al&amp;#180;ternativnye istochniki energii v transportno-tekhnologicheskom komplekse: problemy i perspektivy ratsional&amp;#180;nogo ispol&amp;#180;zovaniya. 2015. T. 2. № 1. S. 165-169.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B3">
    <label>3.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Кошевой В.Л., Белорус А.О., Левицкий В.С. Исследование кристалличности для плёнок mc-Si, полученных методом PECVD, с помощью рамановской спектроскопии // Международный научный журнал Альтернативная энергетика и экология. 2015. № 19 (183). С. 118-123.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Koshevoy V.L., Belorus A.O., Levitskiy V.S. Issledovanie kristallichnosti dlya plenok mc-Si, poluchennykh metodom PECVD, s pomoshch&amp;#180;yu ramanovskoy spektroskopii. Mezhdunarodnyy nauchnyy zhurnal Al&amp;#180;ternativnaya energetika i ekologiya. 2015. № 19 (183). S. 118-123.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B4">
    <label>4.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Белорус А.О., Кошевой В.Л., Спивак Ю.М., Левицкий В.С., Мошников В.А “Ис-следование фотолюминесценции пористого кремния, полученного методом фотоэлектриче-ского травления” Международный научный журнал Альтернативная энергетика и экология. 2015. № 23 (187). С. 126-132.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Belorus A.O., Koshevoy V.L., Spivak Yu.M., Levitskiy V.S., Moshnikov V.A “Is-sledovanie fotolyuminestsentsii poristogo kremniya, poluchennogo metodom fotoelektriche-skogo travleniya” Mezhdunarodnyy nauchnyy zhurnal Al&amp;#180;ternativnaya energetika i ekologiya. 2015. № 23 (187). S. 126-132.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B5">
    <label>5.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Koshevoi V.L., Belorus A.O., Levitskiy V.S., Pshchelko N.S. “ The study of the phase composition of polymorphous silicon film by Raman spectroscopy” IEEE NW Russia Young Re-searchers in Electrical and Electronic Engineering Conference (EIConRusNW) 2016, P. 62-64.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Koshevoi V.L., Belorus A.O., Levitskiy V.S., Pshchelko N.S. “ The study of the phase composition of polymorphous silicon film by Raman spectroscopy” IEEE NW Russia Young Re-searchers in Electrical and Electronic Engineering Conference (EIConRusNW) 2016, P. 62-64.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B6">
    <label>6.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Мошников В.А., Спивак Ю.М., Глава 5. «Электрохимические методы получения пористых материалов для топливных элементов» Основы водородной энергетики / Под ред. В.А. Мошникова и Е.И. Терукова. 2-е изд. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011. 288с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Moshnikov V.A., Spivak Yu.M., Glava 5. «Elektrokhimicheskie metody polucheniya poristykh materialov dlya toplivnykh elementov» Osnovy vodorodnoy energetiki / Pod red. V.A. Moshnikova i E.I. Terukova. 2-e izd. SPb.: Izd-vo SPbGETU «LETI», 2011. 288s.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B7">
    <label>7.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Квит А.В., Мельник Н.Н. “Исследования структуры пористого фосфида галлия” Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2, C. 235 - 240</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zavaritskaya T.N., Karavanskiy V.A., Kvit A.V., Mel&amp;#180;nik N.N. “Issledovaniya struktury poristogo fosfida galliya” Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1998, tom 32, № 2, C. 235 - 240</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B8">
    <label>8.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Зотеев А.В., Кашкаров П.К., Образцов А.Н., Тимошенко В.Ю. “Электрохимическое формирование и отпические свойства пористого фосфида галлия” Физика и техника полу-проводников Т.30, № 8, C. 1473 - 1478.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zoteev A.V., Kashkarov P.K., Obraztsov A.N., Timoshenko V.Yu. “Elektrokhimicheskoe formirovanie i otpicheskie svoystva poristogo fosfida galliya” Fizika i tekhnika polu-provodnikov T.30, № 8, C. 1473 - 1478.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B9">
    <label>9.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Кашкаров П.К., Головань Л.А., Заботнов С.В.  и др. “Увеличение эффективности нелинейно-оптических взаимодействий в наноструктурированных полупроводниках” Фи-зика твердого тела, 2005, том 47, № 1, C. 153 - 159.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Kashkarov P.K., Golovan&amp;#180; L.A., Zabotnov S.V.  i dr. “Uvelichenie effektivnosti nelineyno-opticheskikh vzaimodeystviy v nanostrukturirovannykh poluprovodnikakh” Fi-zika tverdogo tela, 2005, tom 47, № 1, C. 153 - 159.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B10">
    <label>10.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Белогорохов А.И., Караванский В.А., Образцов А.Н., Тимошенко В.Ю. “Интен-сивная фотолюминесценция в пористом фосфиде галлия” Письма в ЖЭТФ, Т.60, № 4, С. 262 - 266.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Belogorokhov A.I., Karavanskiy V.A., Obraztsov A.N., Timoshenko V.Yu. “Inten-sivnaya fotolyuminestsentsiya v poristom fosfide galliya” Pis&amp;#180;ma v ZhETF, T.60, № 4, S. 262 - 266.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B11">
    <label>11.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. “ Оптические фононы в цилиндрических нитях пористого GaP” Физика твердого тела, 2001, том 43, № 9, C. 1693 - 1697.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I. “ Opticheskie fonony v tsilindricheskikh nityakh poristogo GaP” Fizika tverdogo tela, 2001, tom 43, № 9, C. 1693 - 1697.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B12">
    <label>12.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Головань Л.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. “Оптические свойства наноком-пазитов на основе пористых систем” Успехи физических наук, обзоры актуальных проблем, 2007, Т. 117, № 6, С. 619 - 638.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Golovan&amp;#180; L.A., Timoshenko V.Yu., Kashkarov P.K. “Opticheskie svoystva nanokom-pazitov na osnove poristykh sistem” Uspekhi fizicheskikh nauk, obzory aktual&amp;#180;nykh problem, 2007, T. 117, № 6, S. 619 - 638.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B13">
    <label>13.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Stevens-Kalceff M.A., Langa S., Tiginyanu I.M., Carstensen J. and others. “ Compara-tive SEM and Cathodoluminescence Microanalysis of Porous GaP Structures”.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Stevens-Kalceff M.A., Langa S., Tiginyanu I.M., Carstensen J. and others. “ Compara-tive SEM and Cathodoluminescence Microanalysis of Porous GaP Structures”.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B14">
    <label>14.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Tjerkstra R. W. “Electrochemical Formation of Porous GaP in Aqueous HNO3” // Elec-trochemical and Solid-State Letters 2006, 9 (5), P. 81- 84.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Tjerkstra R. W. “Electrochemical Formation of Porous GaP in Aqueous HNO3”. Elec-trochemical and Solid-State Letters 2006, 9 (5), P. 81- 84.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B15">
    <label>15.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Бачериков Ю.Ю. ¶, Охрименко О.Б., Оптасюк С.В., Яценко Ю.И. и др. “Фотолю-минесценция наночастиц CdSe в пористом GaP” Физика и техника полупроводников, 2009, том 43, № 11, C. 1473 - 1476.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Bacherikov Yu.Yu. ¶, Okhrimenko O.B., Optasyuk S.V., Yatsenko Yu.I. i dr. “Fotolyu-minestsentsiya nanochastits CdSe v poristom GaP” Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 2009, tom 43, № 11, C. 1473 - 1476.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B16">
    <label>16.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Дяденчук А.Ф., Кидалов В.В. “ Использование пористых соединений А3В5 для обкладок суперконденсатора” Журнал нано - и электронной физики Т. 7, № 1, 01021(4cc) (2015)</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Dyadenchuk A.F., Kidalov V.V. “ Ispol&amp;#180;zovanie poristykh soedineniy A3V5 dlya obkladok superkondensatora” Zhurnal nano - i elektronnoy fiziki T. 7, № 1, 01021(4cc) (2015)</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B17">
    <label>17.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Квит А.В., Мельник Н.Н. “Исследования структуры пористого фосфида галлия” физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zavaritskaya T.N., Karavanskiy V.A., Kvit A.V., Mel&amp;#180;nik N.N. “Issledovaniya struktury poristogo fosfida galliya” fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1998, tom 32, № 2</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B18">
    <label>18.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Плазмохимическое осаждение (PECVD) [Электронный ресурс]// Intech - Режим доступа: http://www.plasmasystem.ru/technology/pecvd</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Plazmokhimicheskoe osazhdenie (PECVD) [Elektronnyy resurs]// Intech - Rezhim dostupa: http://www.plasmasystem.ru/technology/pecvd</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B19">
    <label>19.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Афанасьев В. П., Теруков Е. И., Шерченков А. А. “Тонкопленочные солнечные элементы на основе кремния” 2-е изд.СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011. 168 с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Afanas&amp;#180;ev V. P., Terukov E. I., Sherchenkov A. A. “Tonkoplenochnye solnechnye elementy na osnove kremniya” 2-e izd.SPb.: Izd-vo SPbGETU «LETI», 2011. 168 s.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B20">
    <label>20.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Грачева И. Е., Карпова С.С, Мошников В.А., Пщелко Н.С. “Сетчатые иерархиче-ские пористые структуры с электроадгезионными контактами “ Известия СПбГЭТУ &amp;#34;ЛЭТИ&amp;#34;. - 2010. - № 8. - С. 27-32.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Gracheva I. E., Karpova S.S, Moshnikov V.A., Pshchelko N.S. “Setchatye ierarkhiche-skie poristye struktury s elektroadgezionnymi kontaktami “ Izvestiya SPbGETU &amp;#34;LETI&amp;#34;. - 2010. - № 8. - S. 27-32.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B21">
    <label>21.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Жабрев В.А., Мошников В.А., Пщелко Н.С., Томаев В.В. “Адгезионное упрочне-ние покрытий металл - стекло” Температуроустойчивые функциональные покрытия: Труды 18-го совещания по температуроустойчивым функциональным покрытиям. Тула, 2001. Ч.1. С.182-187</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Zhabrev V.A., Moshnikov V.A., Pshchelko N.S., Tomaev V.V. “Adgezionnoe uprochne-nie pokrytiy metall - steklo” Temperaturoustoychivye funktsional&amp;#180;nye pokrytiya: Trudy 18-go soveshchaniya po temperaturoustoychivym funktsional&amp;#180;nym pokrytiyam. Tula, 2001. Ch.1. S.182-187</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B22">
    <label>22.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Пщелко Н. С. “Электрофизические методы неразрушающего контроля и формирования ме-таллодиэлектрических структур” автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук, Санкт-Петербург 2011.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Pshchelko N. S. “Elektrofizicheskie metody nerazrushayushchego kontrolya i formirovaniya me-tallodielektricheskikh struktur” avtoreferat dissertatsii na soiskanie uchenoy stepeni doktora tekhnicheskikh nauk, Sankt-Peterburg 2011.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
  </ref-list>
 </back>
</article>
