<!DOCTYPE article
PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.4 20190208//EN"
       "JATS-journalpublishing1.dtd">
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="en">
 <front>
  <journal-meta>
   <journal-id journal-id-type="publisher-id">Modeling of systems and processes</journal-id>
   <journal-title-group>
    <journal-title xml:lang="en">Modeling of systems and processes</journal-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Моделирование систем и процессов</trans-title>
    </trans-title-group>
   </journal-title-group>
   <issn publication-format="print">2219-0767</issn>
  </journal-meta>
  <article-meta>
   <article-id pub-id-type="publisher-id">1241</article-id>
   <article-id pub-id-type="doi">10.12737/2384</article-id>
   <article-categories>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="ru">
     <subject>Технические науки</subject>
    </subj-group>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="en">
     <subject></subject>
    </subj-group>
    <subj-group>
     <subject>Технические науки</subject>
    </subj-group>
   </article-categories>
   <title-group>
    <article-title xml:lang="en">Theoretical bases of modelling of projected objects of electronic component base for synthesis of virtual reality in  the form of the impacts of heavy charged particles</article-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжелыми заряженными частицами</trans-title>
    </trans-title-group>
   </title-group>
   <contrib-group content-type="authors">
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Лавлинский</surname>
       <given-names>Валерий Викторович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Lavlinskiy</surname>
       <given-names>V. Viktorovich</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
   </contrib-group>
   <aff-alternatives id="aff-1">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова</institution>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov</institution>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <pub-date publication-format="print" date-type="pub" iso-8601-date="2014-01-21T00:00:00+04:00">
    <day>21</day>
    <month>01</month>
    <year>2014</year>
   </pub-date>
   <pub-date publication-format="electronic" date-type="pub" iso-8601-date="2014-01-21T00:00:00+04:00">
    <day>21</day>
    <month>01</month>
    <year>2014</year>
   </pub-date>
   <volume>6</volume>
   <issue>3</issue>
   <fpage>20</fpage>
   <lpage>24</lpage>
   <self-uri xlink:href="https://naukaru.ru/en/nauka/article/1241/view">https://naukaru.ru/en/nauka/article/1241/view</self-uri>
   <abstract xml:lang="ru">
    <p>В статье приводятся математические и алгоритмические основы 3D моделирования элементов электронной компонентной базы САПР на основе использования синтеза виртуальной реальности воздействий тяжёлых ядерных частиц на КМОП-структуры.</p>
   </abstract>
   <trans-abstract xml:lang="en">
    <p>The article describes the mathematical and algorithmic foundations of 3D simulation of electronic component base CAD on the basis of synthesis of virtual reality influences of gravity and lead nuclear particles on CMOS structures.</p>
   </trans-abstract>
   <kwd-group xml:lang="ru">
    <kwd>САПР</kwd>
    <kwd>3D моделирование</kwd>
    <kwd>тяжёлые ядерные частицы</kwd>
    <kwd>радиационностойкие элементы</kwd>
    <kwd>КМОП – структура.</kwd>
   </kwd-group>
   <kwd-group xml:lang="en">
    <kwd>CAD</kwd>
    <kwd>3D modeling</kwd>
    <kwd>heavy nuclear particles</kwd>
    <kwd>radiation-resistant elements</kwd>
    <kwd>CMOS structure.</kwd>
   </kwd-group>
  </article-meta>
 </front>
 <body>
  <p>I. ВВЕДЕНИЕВ настоящее время в связи с освоением космического пространства возрастает роль проектирования СБИС специального назначения на КМОП - структурах с требуемой радиационной стойкостью по различным видам воздействий тяжёлых заряженных частиц.Проведение натурных экспериментов такого рода в современных условиях на этапах проектирования и выполнения различного рода НИОКР имеют следующие недостатки:требуются значительные денежные затраты, которые могут занимать более 50% от всей стоимости НИОКР;значительные временные затраты по сравнению с остальными этапами НИОКР (также сами измерения и обработка результатов экспериментов могут занимать до 70% общего времени НИОКР);ограничено количество проведения натурных экспериментов (несколькими десятками);проверка схем на различные виды радиационного воздействия осуществляется (как правило) без изменения в пространстве положения проверяемого СБИС специального назначения.Учитывая тот факт, что на современном этапе разработано множество апробированных достоверных математических моделей воздействия тяжёлых ядерных частиц на материалы, используемые в КМОП – структурах, а также развитие информационных технологий, связанных с 3D моделированием объектов окружающего мира имеется возможность воспроиз-ведения элементов электронной компонентной базы с использованием синтеза виртуальной реальности.Однако при таком подходе возникает проблема взаимосвязи математических моделей оценки воздействий тяжёлых ядерных частиц с проектируемыми элементами электронной компонентной базы на основе 3D моделирования объектов для синтеза виртуальной реальности. Именно этим вопросам посвящена данная работа.</p>
 </body>
 <back>
  <ref-list>
   <ref id="B1">
    <label>1.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Таперо, К. И. Влияние структурных повреждений на кинетику накопления зарядов в структуре Si/SiO2 [Текст ]/ К. И. Таперо // Вестник Воронежского государственного технического университета. - 2011. - Т. 7. - № 6. - С. 209-214.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Tapero, K. I. Vliyanie strukturnykh povrezhdeniy na kinetiku nakopleniya zaryadov v strukture Si/SiO2 [Tekst ]/ K. I. Tapero. Vestnik Voronezhskogo gosudarstvennogo tekhnicheskogo universiteta. - 2011. - T. 7. - № 6. - S. 209-214.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B2">
    <label>2.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Лавлинский, В. В. Виды и этапы верификационных процедур систем на кристалле [Текст] / В. В. Лавлинский, В. А. Скляр // Моделирование систем и процессов. - 2011. - № 4. - С. 61-63.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Lavlinskiy, V. V. Vidy i etapy verifikatsionnykh protsedur sistem na kristalle [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, V. A. Sklyar. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2011. - № 4. - S. 61-63.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
  </ref-list>
 </back>
</article>
