При воздействии ионизирующего излучения (ИИ) на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы (ИС) наблюдается их временная потеря работоспособности (ВПР). Наиболее исследованный механизм отказа при воздействии такого рода связан с резким увеличением концентрации неосновных носителей, приводящим к возрастанию ионизационного тока. Вместе с тем, при воздействии излучения с большой степенью поглощения (например, рентгеновского) возможен нагрев кристалла выше предельно-допустимой температуры по ТУ, что также может привести к отказу изделий. Прогнозирование ВПР с учетом последнего механизма отказа затруднено, поэтому наиболее приемлемым методом исследования представляется математическое моделирование. Целью настоящей статьи является разработка модели перераспределения тепла в структуре ИС и полупроводниковых приборов при воздействии рентгеновского ИИ.