Modeling of systems and processes Modeling of systems and processes Моделирование систем и процессов 2219-0767 10303 10.12737/17165 Технические науки Технические науки THE ALGORITHMIC BASIS OF MODELLING OF FAILURES FROM EXPOSURE TO HEAVY CHARGED PARTICLES IN VLSI, MADE BY DEEP-SUBMICRON TECHNOLOGIES Расчет изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространства Грошев А. С. Groshev A. С. Крюков В. П. Kryukov V. П. Скляр В. А. Sklyar V. А. Зольников Константин Владимирович Zolnikov Konstantin Vladimirovich Чубур Кирилл Александрович Chubur K. A. АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Воронеж Россия АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Воронеж Russian Federation АО "Научно-исследовательский институт электронной техники" Россия АО "Научно-исследовательский институт электронной техники" Russian Federation Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова Россия Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov Russian Federation Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова RU FSBE Institution of Higher Education Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov RU 11 01 2016 11 01 2016 8 3 33 35 https://naukaru.ru/en/nauka/article/10303/view

В работе рассмотрены вопросы изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространства. Освещено моделирование процесса накопления дефектов для низкоинтенсивного излучения.

The paper discusses the changes in the circuit parameters under the influence of low-intensive radiation of space factors. Lighted modeling of process of accumulation of defects for low-intensity radiation.

 Автоматизация проектирования радиация микросхемы. computer-aided design radiation chip.

Рассматривается моделирование накопления заряда в полупроводниковых структурах КМОП транзистора при воздействии излучения малой мощности; предложены соотношения для изменения порогового напряжения и подвижности в зависимости от мощности дозы, времени и температуры; рассматриваются методы получения всех коэффициентов в данных соотношениях для различных технологий, топологических норм и схемотехнических решений [1-4]. 

Скляр, В. А. Проектирование и испытания микросхем для систем сбора и обработки информации [Текст] / В. А. Скляр, А. В. Ачкасов, К. В. Зольников // Радиотехника. - 2014. - № 6. - С. 94-98. Sklyar, V. A. Proektirovanie i ispytaniya mikroskhem dlya sistem sbora i obrabotki informatsii [Tekst] / V. A. Sklyar, A. V. Achkasov, K. V. Zol´nikov. Radiotekhnika. - 2014. - № 6. - S. 94-98. Зольников, К. В. Метод и алгоритм поиска дефектов для радиационно-стойких микросхем [Текст] / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. В. Ачкасов, В. И. Анциферова, С. А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 2. - С. 10-13. Zol´nikov, K. V. Metod i algoritm poiska defektov dlya radiatsionno-stoykikh mikroskhem [Tekst] / K. V. Zol´nikov, V. A. Sklyar, V. P. Kryukov, A. V. Achkasov, V. I. Antsiferova, S. A. Evdokimova. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 2. - S. 10-13. Скляр, В. А. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС [Текст] / В. А. Скляр, К. В. Зольников, В. В. Лавлинский, С. А. Евдокимова, В. И. Анциферова // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 2. - С. 72-76. Sklyar, V. A. Obzor programm dlya SAPR submikronnykh SBIS [Tekst] / V. A. Sklyar, K. V. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Antsiferova. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 2. - S. 72-76. Ачкасов, В. Н. Алгоритм моделирования работоспособности микросхем в условиях воздействия внешних факторов в подсистеме САПР ИЭТ [Текст] / В. Н. Ачкасов, К. В. Зольников // Моделирование систем и процессов. - 2013. - № 4. - С. 16-19. Achkasov, V. N. Algoritm modelirovaniya rabotosposobnosti mikroskhem v usloviyakh vozdeystviya vneshnikh faktorov v podsisteme SAPR IET [Tekst] / V. N. Achkasov, K. V. Zol´nikov. Modelirovanie sistem i protsessov. - 2013. - № 4. - S. 16-19. Таперо, К. И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур. [Текст] : дис. … канд. ф.-м. наук / К. И. Таперо. - Москва, 1997. Tapero, K. I. Kinetika nakopleniya i otzhiga radiatsionnykh defektov v aktivnykh oblastyakh kremnievykh MOP i KMOP struktur. [Tekst] : dis. … kand. f.-m. nauk / K. I. Tapero. - Moskva, 1997.